檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "氧".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="碳化矽"
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本研究之內容為針對高壓電纜的五分割導體，進行模具開發及電纜之試生產，主要利用壓縮率法，以不同的壓縮率進行壓輪模具的設計，生產測試的方式則使用試誤法。共進行三次的試生產，第一次試生產只進行18 B (…
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本研究乃以實驗室組裝之感應耦合電漿(ICP)反應系統來低溫氧化4H碳化矽晶片以製備閘極介電層。實驗上，以連結反應腔體至X射線光電子能譜儀(XPS)測量腔體，達到階段氧化後可不需暴露試片於大氣即可進行…
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本文將不同比例之稀土元素氧化釔(Y2O3)添加至主要陶瓷粉末碳化矽(SiC)及金屬粉末(Ni)當中混合均勻，進行氬銲被覆(Gas tungsten arc welding；GTAW)於Ti-6Al-…
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在本篇論文中，吾人以帶有不同應力影響之磊晶石墨烯奈米牆(epitaxial grapheme nanowalls, EGNWs)作為電極，並將葡萄糖氧化酶酵素(glucose oxidase)固定於…
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本研究針對碳化矽磊晶層中普遍存在的貫穿差排缺陷對功率元件漏電流的影響進行探討，透過對兩種常見的功率元件-蕭特基二極體(SBD)與金氧半場效電晶體(MOSFET)做為測試對象，以數量級超過數十至百顆的…
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本論文針對碳化矽磊晶層中存在之缺陷進行表徵及生長機制的探討，並透過製作不同尺寸大小之蕭特基二極體，藉由元件電性量測後再對其進行缺陷的反向工程分析，微觀探討元件磊晶層中各種型態缺陷對元件特性之影響，並…